IRFP260M IIRFP260M IRFP260MPBF tranzystor MOSFET HEXFET 200V 50A TO247

Tranzystor MOSFET IRFP260M to niezawodne rozwiązanie dla Twoich projektów elektronicznych, które cechuje się wyjątkową mocą oraz wydajnością. Dzięki maksymalnemu rozproszeniu mocy wynoszącemu 300 W oraz maksymalnemu prądowi drenu 50 A, ten tranzystor doskonale sprawdzi się w aplikacjach wymagających wysokiej wydajności. Jego maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 200 V, co czyni go idealnym wyborem do zastosowań w zasilaczach i systemach elektronicznych, które potrzebują stabilności i niezawodności.

Ten model wyróżnia się innowacyjną konstrukcją kanału N. Z maksymalnym napięciem bramka-źródło wynoszącym 20 V oraz napięciem progowym bramki 4 V, tranzystor IRFP260M zapewnia doskonałą kontrolę nad wykonawczymi elementami obwodów. Oferując maksymalną temperaturę złącza 175 °C, doskonale radzi sobie w trudnych warunkach pracy, co zwiększa jego żywotność i wydajność. Dodatkowo, całkowity ładunek bramki wynoszący 234 nC oraz czas narastania 60 ns gwarantują szybkie i efektywne działanie w odpowiedzi na zmiany w obwodzie.

Dlaczego warto wybrać IRFP260M?

• Wysoka moc i wydajność: Idealny do zastosowań w zasilaczach i innych urządzeniach wymagających dużej mocy.
• Wytrzymałość: Dostateczne parametry termiczne zapewniają długoczasowe i bezproblemowe działanie.
• Uniwersalny zamiennik: Możliwość zastąpienia różnych modeli, co czyni go wszechstronnym rozwiązaniem.

Tranzystor IRFP260M to także doskonała opcja dla inżynierów i pasjonatów elektroniki, którzy oczekują nie tylko wydajności, ale również niezawodności. Dzięki swoim parametrom technicznym, doskonale sprawdzi się w każdej aplikacji, w której priorytetem jest stabilność napięcia oraz niski opór w stanie włączenia, wynoszący 0,04 Ohm.

Nie czekaj! Wybierz tranzystor IRFP260M i osiągnij niezrównaną wydajność w swoich projektach elektronicznych. Odkryj moc, która tkwi w tym niewielkim, ale potężnym elemencie!