NCE40H20A 40H20A tranzystor MOSFET 40V 200A TO220

Tranzystor NCE40H20A

• Model : NCE40H20A
• Seria : 40H20A
• Obudowa : TO220
• Montaż: THT przewlekany
• Produkcja: NCEpower

Podstawowe parametry elektryczne:

• Maksymalne napięcie dren–źródło (VDS): 40 V
• Ciągły prąd drenu (ID):
• 200 A przy TC = 25°C
• 140 A przy TC = 100°C
• Prąd impulsowy (IDM): 790 A
• Maksymalne napięcie bramka–źródło (VGS): ±20 V

Parametry przewodzenia:

• Rezystancja w stanie włączenia RDS(on):
• typ. 2,0 mΩ, max. 2,6 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 40 A
• Napięcie progowe bramki VGS(th): 2–4 V
• Transkonduktancja (gFS): 60 S

Parametry dynamiczne i przełączania:

• Całkowity ładunek bramki (Qg): 130 nC
• Czasy przełączania (typowe):
• td(on): 21 ns
• tr: 37 ns
• td(off): 75 ns
• tf: 40 ns

Parametry termiczne:

• Maksymalna moc strat (PD): 285 W
• Rezystancja termiczna złącze–obudowa (RθJC): 0,53 °C/W
• Zakres temperatur pracy złącza: –55°C do +175°C

Dioda (body diode):

• Spadek napięcia (VSD): do 1,2 V
• Czas odwrotnego odzysku (trr): 50 ns
• Ładunek odzysku (Qrr): 61 nC