IRFP260M IIRFP260M IRFP260MPBF tranzystor MOSFET HEXFET 200V 50A TO247

Tranzystor IRFP260M - Potężna Moc w Twoich Rękach

Odkryj niespotykaną wydajność i niezawodność dzięki tranzystorowi IRFP260M, który łączy w sobie nowoczesną technologię MOSFET typu N-channel. Zbudowany z myślą o wymagających zastosowaniach, jakich oczekują specjaliści w dziedzinie elektroniki, ten tranzystor to idealne rozwiązanie dla wszystkich, którzy pragną osiągnąć doskonałe wyniki.

Dlaczego warto wybrać IRFP260M?

• Maksymalne rozproszenie mocy (Pd): 300 W – idealne do aplikacji dużej mocy.
• Maksymalne napięcie dren-źródło (Vds): 200 V – niezrównana odporność na przepięcia.
• Maksymalny prąd drenu (Id): 50 A – efektywne zarządzanie energią w aplikacjach.
• Temperatura pracy: do 175 °C – zapewnia stabilność w trudnych warunkach.
• Całkowity ładunek bramki (Qg): 234 nC – szybkość reakcji, która zwiększa efektywność systemów.

Tranzystor IRFP260M charakteryzuje się także niską rezystancją dren-źródło w stanie włączenia, wynoszącą zaledwie 0.04 Ohm, co przekłada się na niskie straty mocy i podnosi efektywność działania. Dzięki tym właściwościom, mona go wykorzystać w rozmaitych zastosowaniach, od zasilaczy impulsowych po konwertery, co czyni go wszechstronnym i niezastąpionym elementem w Twojej elektronicznej układance.

Specyfikacje techniczne

Nie przegap niepowtarzalnej okazji, aby wzmocnić swoje projekty elektroniczne! Dzięki tranzystorowi IRFP260M, każdy projekt staje się prostszy, szybszy i bardziej efektywny. Zamień swoje innowacyjne pomysły w rzeczywistość i postaw na jakość, która nie zawiedzie – wybierz IRFP260M i poczuj moc, która zrewolucjonizuje Twoje urządzenia!