Tranzystor N-Channel 100-V (D-S) MOSFET ME15N10-G- Model ME15N10-G
- Oznaczenie ME15N10-G
- Seria 15N10
- Typ: tranzystor MOSFET z kanałem N
- Tryb pracy: wzbogacany (enhancement mode)
- Technologia: DMOS trench
- Obudowa: TO252 (DPAK)
- Wbudowana dioda zabezpieczająca
Parametry graniczne:- Napięcie dren-źródło (VDSS): 100 V
- Napięcie bramka-źródło (VGSS): ±20 V
- Prąd drenu ciągły (ID, TC=25°C): 14.7 A
- Prąd drenu ciągły (ID, TC=70°C): 13.6 A
- Prąd drenu impulsowy (IDM): 59 A
- Moc strat (PD, TC=25°C): 34.7 W
- Moc strat (PD, TC=70°C): 22.2 W
- Rezystancja termiczna złącze–obudowa (RθJC): 3.6 °C/W
- Zakres temperatur pracy złącza (TJ): –55°C do +150°C
- Parametry elektryczne (TA = 25°C):
- Napięcie przebicia dren-źródło (BVDSS): 100 V
- Napięcie progowe bramki (VGS(th)): 1–3 V
- Prąd upływu bramki (IGSS): ±100 nA
- Prąd upływu drenu (IDSS): 1 µA
- Rezystancja kanału (RDS(ON), VGS=10V, ID=8A): 80–100 mΩ
- Spadek napięcia na diodzie (VSD, IS=8A): 0.9–1.2 V
- Prąd diody zabezpieczającej (IS): do 8 A
Parametry dynamiczne:- Całkowity ładunek bramki (Qg, VGS=10V, VDS=80V, ID=10A): 24 nC
- Ładunek bramka–źródło (Qgs): 4.6 nC
- Ładunek bramka–dren (Qgd): 7.6 nC
- Pojemność wejściowa (Ciss): 890 pF
- Pojemność wyjściowa (Coss): 58 pF
- Pojemność sprzężenia zwrotnego (Crss): 23 pF
- Rezystancja bramki (Rg): 0.9 Ω
- Czas opóźnienia włączenia (td(on)): 14 ns
- Czas narastania (tr): 33 ns
- Czas opóźnienia wyłączenia (td(off)): 39 ns
- Czas opadania (tf): 5 ns
Zamienniki: 15N10G-TN3-R, 15N10L-TN3-R, 16N10, 20N15, 22N10, AFN9995S, AM30N10-70D, AM30N10-70DE, AM30N10-78D, AM30N15-60D, AOD254, AOD2544, AOD256, AOD2910, AOD2910E, AOD2916, AOD294A, AOD296A, AOD482, AP20N15AGH, AP20N15AGH-HF, AP30T10GH, AP30T10GH-HF, APG40N10D, BRCS250N10SDP, BRCS3710LDP, BRD15N10, BRD17N10, BUK9240-100A, BUK9275-100A, CS3410B4, CS540A4, DHS180N10LD, DKI10526, DSD190N10L3, FDD3672F085, FDD3682F085, FDD390N15ALZ, FDD850N10L, FDD86102LZ, FHD15N10A, FIR15N10LG, FIR80N10LG, FQD19N10L, FQD19N10LTF, FQD19N10LTM, FTK15N10D, GSM9995S, H15N10D, HGD093N12SL, HGD098N10AL, HGD120N10AL, HGD170N10AL, HGD200N10SL, HGD210N12SL, HGD230N10AL, HGD290N10SL, HGD650N15SL, HGD750N15ML, HM15N10K, IPD30N10S3L-34, IPD30N12S3L-31, ISCNL343D, ISCNL344D, JMSL1010PKS, JMSL1018AK, JMSL1018AKQ, JMSL1018PK, JMSL1018PKQ, JMSL1040AK, JMSL1070AK, K4018, MCD3410, ME15N10, ME15N10G, ME15N10-G, MEE15N10-G, MTB070N11J3, MTB55N10J3, MTDA0N10J3, MTE65N15J3, MTEA0N10J3, MTN2510J3, MTN2510LJ3, MTN3484J3, MTN3820J3, MTN7451J3, MTN9240J3, NCE0115AK, NCE0115K, NCEP1520AK, NCEP1520BK, NDT15N10, NTD6415ANL, NTD6416ANT, NVD6415ANL, NVD6495NL, P2020YD, P7515BDB, P8010BD, P9515BD, PD504BA, PDD0906, PG1010BD, PG2910BD, PP4515BD, RJK1206JPD, RU1HE16L, SFG10R20DF, SFG10R50DF, SFG10R75DF, SFG10S20DF, SFG15N10DF, SFT1445, SI25N10, SL20N10, SM1A20NSU, SM1A23NSU, SM1A30NSU, SM1A32NSU, SPD35N10, SRT10N160LD, SRT10N230LD, SRT15N750LD, SSD30N10-70D, SUD15N15-95, SUD20N10-66L, TW0115SR-Y, TX15N10B, UTT30N10, VBE1106N, VBZE12N10, VBZE15N10, VBZE80N10, WMO175N10LG4, WMO20N15T2, WMO240N10LG2, WSF15N10, WSF15N10G, WSF3410, WSF40N10A, WSF50N10G, YJD45G10A
Zdjęcie realne
Pomiar realny
Tranzystory nowe, brak śladów lutowania, nogi pełnej długości